图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSO330N02K G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO330N02K G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO330N02K G价格参考。InfineonBSO330N02K G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO330N02K G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO330N02K G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 20V 6.5mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSO330N02K GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO330N02K+G+Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a304318a6cd680118a880801f0060 |
| 产品型号 | BSO330N02K G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 16.8 ns |
| 下降时间 | 2.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 730pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO330N02K GINDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13.4 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | DSO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A |
| 系列 | BSO330N02 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | BSO330N02KGFUMA1 SP000380284 |
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